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       湖南静芯微电子技术有限公司是一家专业提供全芯片片上集成高性能ESD/TVS设计服务和ESD/TVS/MOS等分立器件产品的集成电路设计公司。公司拥有独立的自主知识产权，是开发成功芯片级TVS器件等抗静电保护器件的公司。
       公司积累了一系列知识产权成果，获得国家知识产权共计50 项，其中，获得发明专利4 项、实用新型专利18 项、集成电路布图登记28 项；进入实审发明专利18 项。累计测试结构达2000余个，并在多个关键技术取得突破，特别是在国内开发成功在人体模型(HBM)下抗静电强度高于30KV关键技术和器件（2014年获得湖南省科技进步奖）。完成过国家“十二五”重大专项、国家自然科学基金、国家863等国家省市级项目片上ESD防护设计。 

专利证书

一种双向瞬态电压抑制器件

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一种双栅栅控可控硅整流器静电释放器件及其制作方法

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一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件

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提高失效电压的双向假栅深阱静电保护器件及其制作方法

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一种双向可控硅静电防护器件

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一种多叉指LDMOS-SCR静电防护器件

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一种非对称带栅双向可控硅静电防护器件

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一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件

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一种高防护等级单向可控硅静电防护器件

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阻容耦合快速开启的可控硅静电防护器件及其制作方法

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GGNMOS静电防护器件

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低压带栅单向可控硅静电防护器件

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布图登记证书

低电压高功率音频功放芯片电路

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电流输入单运算放大器电路

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分段式高压双向可控硅静电保护器件

分段式高压双向可控硅静电保护器件

一种12V高压大过流场效应晶体管

一种12V高压大过流场效应晶体管

一种18V高压工艺矩形LDMOS功率器件

一种18V高压工艺矩形LDMOS功率器件

一种25V高压工艺多单元八边形LDNMOS静电防护器件

一种25V高压工艺多单元八边形LDNMOS静电防护器件

一种N+_ZP齐纳二极管构成的双向静电防护器件

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一种保护环辅助开启嵌套型双向静电防护可控硅器件

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一种低电容方形双向可控硅静电保保护器件

一种低电容方形双向可控硅静电保保护器件

一种段状P+保护环高维持电压分段发射极非对称双向可控硅器件

一种段状P+保护环高维持电压分段发射极非对称双向可控硅器件

一种非对称带DNWELL的高维持电压双向可控硅静电防护器件

一种非对称带DNWELL的高维持电压双向可控硅静电防护器件

一种高耐压高功率密度的环形LDMOS器件

一种高耐压高功率密度的环形LDMOS器件

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