1

公司简介

知识产权

质量体系

荣誉资质

公司新闻

人才招聘

联系我们

【新品发布】湖南静芯推出可用于电机驱动的静电增强型NMOS管ESNJ10R100K

湖南静芯推出耐压100V的ESD增强型NMOS ESNJ10R100K，主要用于中功率电源转换、中小型电机驱动和电池管理等领域。该器件具有高电流承载能力和较快的开关速度，适合在高效能电源系统中使用。使MOS管在无外置ESD器件保护的情况下，在GS端拥有 IEC ±16kV，HBM ±18kV 的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高。

2026

09-29

【新品发布】湖南静芯推出可用于电源开关的60V静电增强型PMOS管ESPH06R30K

湖南静芯推出耐压为60V的ESD增强型PMOS ESPH06R30K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至24mΩ的导通电阻，且在芯片内部集成ESD器件，使MOS管在GS端拥有IEC±15kV，HBM±20kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低。

2026

09-29

【新品发布】湖南静芯推出尖峰电压超低的深回扫型静电保护器件SEUCS2X3V1BUL

湖南静芯推出全新产品SEUCS2Z3V1BUL 。该器件在IEC 61000-4-2标准下展现出超低的初始尖峰钳位能力，较市场主流同规格竞品，第一峰值电压降低超过50%，为USB4&USB4 V2、TBT4&TBT5等高速接口及先进制程芯片提供了超强防护。

2026

09-29

【新品发布】湖南静芯推出可用于电源开关的超低电阻静电增强型PMOS管ESPJ03R08K

湖南静芯推出耐压30V为ESD增强型PMOS ESPJ03R08K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至4.8mΩ的导通电阻，且在芯片内部集成ESD器件，使MOS管在GS端拥有 IEC ±6kV（Contact），±8kV（Air）的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低。

2026

09-29

【新品发布】湖南静芯推出6路双向超低钳位电压深回扫型静电保护器件SEUCS07F3V6B

湖南静芯最新推出6路双向深回扫型静电保护器件SEUCS07F3V6B，拥有超低钳位电压和超低结电容的优异性能。SEUCS07F3V6B共有6个IO引脚，可同时保护六条数据信号线免受ESD(静电放电)引起的干扰而损坏，可适用于USB 3.0/3.1、HDMI 1.3/1.4/2.0和DP等接口防护。

2026

09-29

【新品发布】湖南静芯推出超小型封装单向深回扫静电防护器件SEUCS2X5V1U

湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS2X5V1U。SEUCS2X5V1U是一款工作电压为5V的超低电容深回扫型单向ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件，使之免受ESD(静电放电)引起的过压而损坏。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS2X5V1U可用于提供高达±20kV(接触放电) 和±20kV(空气放电)的ESD保护，可承受高达7A(8/20us)的峰值脉冲电流。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出可用于超低电阻静电能力增强型NMOS管ESNH03R05K

湖南静芯推出耐压30V为ESD增强型NMOS ESNH03R05K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至4.0mΩ的导通电阻，且通过在PDFN3*3-8L封装内部集成 ESD 器件，使MOS管在无外置ESD器件保护的情况下GS端拥有 IEC ±8kV，HBM ±8kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出可用于电源开关的超低电阻静电增强型PMOS管ESN7409K

湖南静芯推出耐压30V为ESD增强型PMOS ESN7409K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至8.4mΩ的导通电阻，且在芯片内部集成ESD器件，使MOS管在GS端拥有 IEC ±6kV，HBM ±8kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低, 支持pin-to-pin 替代 AON7409、VBQF2309等市场内常见PMOS。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出可用于电源开关的超低电阻静电增强型PMOS管ESPJ03R13K

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出超强ESD防护能力NMOS管ESNJ06R06K

湖南静芯推出耐压为60V的ESD增强型NMOS ESNJ06R06K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件为沟槽工艺制作，具有低至4.6mΩ的导通电阻，且通过在PDFN5*6-8L封装内部集成 ESD 器件，使MOS管在无外置ESD器件保护的情况下GS端拥有 IEC ±25kV，HBM ±25kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低。

2026

08-13

< 123456 >