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【新品发布】湖南静芯推出超小型封装单向深回扫静电防护器件SEUCS2X5V1U

湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS2X5V1U。SEUCS2X5V1U是一款工作电压为5V的超低电容深回扫型单向ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件，使之免受ESD(静电放电)引起的过压而损坏。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS2X5V1U可用于提供高达±20kV(接触放电) 和±20kV(空气放电)的ESD保护，可承受高达7A(8/20us)的峰值脉冲电流。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出可用于超低电阻静电能力增强型NMOS管ESNH03R05K

湖南静芯推出耐压30V为ESD增强型NMOS ESNH03R05K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至4.0mΩ的导通电阻，且通过在PDFN3*3-8L封装内部集成 ESD 器件，使MOS管在无外置ESD器件保护的情况下GS端拥有 IEC ±8kV，HBM ±8kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出可用于电源开关的超低电阻静电增强型PMOS管ESN7409K

湖南静芯推出耐压30V为ESD增强型PMOS ESN7409K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至8.4mΩ的导通电阻，且在芯片内部集成ESD器件，使MOS管在GS端拥有 IEC ±6kV，HBM ±8kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低, 支持pin-to-pin 替代 AON7409、VBQF2309等市场内常见PMOS。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出可用于电源开关的超低电阻静电增强型PMOS管ESPJ03R13K

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出超强ESD防护能力NMOS管ESNJ06R06K

湖南静芯推出耐压为60V的ESD增强型NMOS ESNJ06R06K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件为沟槽工艺制作，具有低至4.6mΩ的导通电阻，且通过在PDFN5*6-8L封装内部集成 ESD 器件，使MOS管在无外置ESD器件保护的情况下GS端拥有 IEC ±25kV，HBM ±25kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出用于HDMI 2.0的2路深回扫型静电保护器件SEUCS3F3V2UC

湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS3F3V2UC，SEUCS3F3V2UC是一款保护高速数据接口的超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件免受ESD(静电放电)引起的过压，可适用于USB 3.X/4.0和HDMI 2.0等高速接口的差分信号线防护。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS3F3V2UC可用于提供高达±20kV(接触放电)和±20kV(空气放电)的ESD保护和承受高达8A(8/20us)的峰值脉冲电流, 其TLP曲线中电流为16A时钳位电压仅为4.3V。

2026

08-13

【新品发布】湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ES4576BK

湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ES4576BK，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域。该器件在SOP8封装内集成 ESD 器件，使 MOS 管在无外置ESD器件保护的情况下，在GS端拥有 IEC ±10kV，HBM ±15kV 的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高, 支持pin-to-pin 替代AO4576、SI4576DY等市场内常见NMOS。

2026

06-12

【新品发布】湖南静芯推出可用于超强ESD防护能力超低电阻NMOS管ESGNJ03R02K

湖南静芯推出耐压30V为ESD增强型NMOS ESGNJ03R02K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至2.3mΩ的导通电阻，且通过在PDFN5*6-8L封装内部集成 ESD 器件，使MOS管在无外置ESD器件保护的情况下GS端拥有 IEC ±25kV，HBM ±25kV的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低，支持pin-to-pin 替代AP150N03NF、BSC014N03MS等市场内常见NMOS。

2026

06-12

【新品发布】湖南静芯推出可用于电源开关的超低电阻静电增强型MOS管ESPE03R08K

湖南静芯推出耐压30V为ESD增强型PMOS ESPE03R08K，主要用于电源管理、负载开关、电机驱动和DC-DC转换电路中。该器件具有低至6.2mΩ的导通电阻，且在芯片内部集成ESD器件，使MOS管在GS端拥有 IEC ±6kV（Contact），HBM ±6kV（Contact）的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高，导通损耗大幅降低，支持pin-to-pin 替代 AO4425、SI4463等市场内常见PMOS。

2026

06-12

【新品发布】湖南静芯推出应用于消费类电子的MOSFET ESGNJ03R048K

在笔记本电脑、平板电脑、智能手机以及便携式游戏机等消费电子产品中，电源按键和电池连接器等部位极易遭受静电放电（ESD）冲击，轻则导致MOSFET栅极击穿，重则损坏后级主控。湖南静芯推出的ESD增强型NMOS ESGNJ03R048K，不仅具备30V耐压、3.7mΩ超低导通电阻，更在PDFN5×6-8L封装内集成了在PDFN5*6-8L封装内集成 ESD 器件，使栅极拥有 IEC ±8kV，HBM ±8kV 的静电防护能力, 是消费电子系统性能、可靠性、成本和尺寸的最佳选择。

2026

06-12

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