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2026
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【新品发布】湖南静芯推出可用于电机驱动的静电增强型NMOS管ESNJ10R100K
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湖南静芯推出耐压100V的ESD增强型NMOS ESNJ10R100K，主要用于中功率电源转换、中小型电机驱动和电池管理等领域。该器件具有高电流承载能力和较快的开关速度，适合在高效能电源系统中使用。使MOS管在无外置ESD器件保护的情况下，在GS端拥有 IEC ±16kV，HBM ±18kV 的静电防护能力，与传统MOSFET和传统带ESD防护MOSFET相比，防护性能显著提高。
湖南静芯增强ESD型MOSFET介绍
比起传统MOS管，集成ESD保护的MOS管可以显著提高栅极的可靠性与鲁棒性，优化性能与节约成本。传统带 ESD MOS 管的HBM防护能力通常在 2kV 左右，栅极漏电流IGSS在 5-30uA 左右，且集成ESD功能多由栅极集成串联多晶电阻的方式来解决ESD问题，会造成MOS 管开关时间变长，高频领域应用受限等问题。同时由于传统集成 ESD MOSFET工艺复杂，一般情况会比不带 ESD MOSFET 价格高30%-40%。
湖南静芯的增强 ESD 型 MOSFET 系列，人体模型（HBM）防护能大于±8kV，IEC61000-4-2 Contact 标准防护能力大于±6kV，栅极漏电流 IGSS 典型值为 1~10nA（MAX<100nA），栅极电阻与传统不带ESD MOS 管一致，对 MOS 管的栅极性能基本没有影响，抗静电能力领先市面上传统集成ESD MOSFET很多，且不影响高频领域的使用。湖南静芯提出的创新工艺使公司增强 ESD 型 MOSFET系列成本与常规不带 ESD MOS 成本非常接近，为客户提供了高性价、高静电能力的 MOSFET新选择。
图1 传统集成ESD MOS管剖面结构图
表1 传统带ESD防护MOS与静芯ESD增强型MOS对比
ESNJ10R100K介绍
ESNJ10R100K是湖南静芯研发的一款耐压为100V的N沟道增强型MOS场效应晶体管，其优势在于能够在较低驱动电压下实现高电流控制，凭借高可靠性与宽温度工作范围，该器件在工业控制领域，如PLC输出、中小型电机驱动、电源模块中应用广泛。
该器件采用先进的沟槽技术与设计，具有优异的导通电阻和低栅极电荷特性，PDFN5*6- 8封装内集成 ESD 器件，拥有 IEC ±16kV，HBM ±18kV 的静电防护能力。该器件IGSS在100nA以内，在 VGS =10V，ID= 5A 的条件下，RDS(on) =88mΩ；在 VGS =4.5V，ID =4A 的条件下，RDS(on) =98mΩ。该器件的相关参数如下所示。
表2 ESNJ10R100K电气特性表
应用示例
MOSFET在电机驱动中还可以作为电源开关，通过控制其导通和截止状态来调节电机的供电电压。由于电机的转速与供电电压成正比，因此通过调节电压可以实现对电机转速的精确控制。这种控制方式在直流电机和交流电机驱动中均得到广泛应用。除此之外，在电机运行过程中，过流和过热是常见的故障模式。MOSFET具有快速的电流响应能力和热稳定性，因此可以用于电流保护。通过监测电机的电流和MOSFET的温度，可以及时发现并处理过流和过热情况，从而保护电机和MOSFET免受损坏。
图2 伺服电机应用示例图
总结与结论
ESNJ10R100K具有高性价比、高兼容性、高可靠性，拥有 100V 耐压、100mΩ 导通电阻、12A 连续漏极电流的黄金组合，兼顾高耐压与低导通损耗，完美覆盖 48V 电池供电、DC-DC 转换、中小功率电机驱动、LED 驱动、BMS电池保护、工业电源及热插拔等大多数主流中压应用场景，是 100V 中高压 MOSFET 领域非常值得信赖的选择。
湖南静芯ESD器件工作电压涵盖1.0~38V，电流涵盖4~30A，电容最低至0.1pF，封装涵盖CSP、FC及各类封装形式。同时推出22V&33V TDS平缓浪涌抑制器，可用于保护工作电压为20V、24V、28V、36V的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。结合TDS器件与深回扫ESD优势，湖南静芯是国内首家推出USB4.0完整解决方案的公司，详情可以参考：“湖南静芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防护完整解决方案100W+80G/120G”与“湖南静芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防护完整解决方案140W&180W+80G/120G”等文章。
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