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2026
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【新品发布】湖南静芯推出用于射频天线防护的深回扫型静电保护器件SEUCS2X18V1BA
来源：
湖南静芯推出全新产品SEUCS2X18V1BA。SEUCS2X18V1BA是一款保护射频天线的1路双向超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁，可适用于射频信号、天线、功率放大器、手持式便携设备的信号防护。
深回扫型ESD介绍
深回扫型ESD防护器件具有超小封装体积、超低钳位电压、超低结电容特性，相比常规工艺ESD器件防护效果更优，且不影响信号完整性，可有效保护USB等接口免受瞬态过电压的影响，为相关电子产品设备加固防护，提升消费者使用体验。
常规型ESD的电压会随着IPP（峰值脉冲电流）的增加而等比例增加，呈现出一个较为线性的增长趋势。而深回扫型ESD器件在电压达到VT（触发电压）后会瞬间将两端电压拉低，进入一个小于工作电压VRWM的较低电压VHOLD,之后随着电流的增加电压逐渐增大。
其相较于常规ESD器件的优点有：
- 更低的钳位电压：在相同的IPP下，带回扫ESD的VC（钳位电压）比常规ESD器件低30%以上。
- 更低的漏电流：这类ESD器件具有更低的漏电流，有助于降低设备的功耗，实现更节能的设计。
- 更广的应用范围：带回扫ESD的优异性能使其适用于更深的领域，如低压移动电子设备、汽车电子、工业控制等对ESD保护要求较高的场合。
图1 ESD特性曲线图对比
通过对比常规ESD和带回扫ESD的特性曲线图及其优点，可以看出带回扫ESD在静电保护方面具有更出色的性能和应用前景。
SEUCS2X18V1BA介绍
SEUCS2X18V1BA是湖南静芯研发的一款1路双向超低电容深回扫型ESD静电保护器件，专门设计用于防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁。该器件采用DFN0603-2L小型封装，工作电压为18V，钳位电压为5.6V，具有0.08pF的极低电容，可确保信号完整性。根据IEC 61000-4-5标准可承受4A(8/20μs)的峰值脉冲电流，根据IEC 61000-4-2 (ESD)规范，可用于提供高达±10kV(接触放电)，±10kV(空气放电)的ESD保护。该器件的相关曲线图及参数如下所示。
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击穿电压曲线 | 漏电流曲线 |
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结电容曲线 | 8/20浪涌曲线 |
表1 SEUCS2X18V1BA相关曲线图
At TA = 25℃ unless otherwise noted
表2 SEUCS2X18V1BA电气特性表
应用示例
SEUCS2X18V1BA为1路双向型器件，工作电压最大为18V，可适用于射频信号、天线、功率放大器、手持式便携设备的信号防护。手机内部的蜂窝式无线网络GSM900的典型功率为33dBm，根据计算其电压峰值为14.13V（具体计算方式可参考湖南静芯的《射频（RF）静电放电防护方案》）。通常天线电路上的保护器件择工作电压需要大于天线电路上的电压峰值，并确保留有足够余量，推荐使用该工作电压为18V的超低电容ESD器件对其进行防护。
图2 射频天线应用方案
总结与结论
SEUCS2X18V1BA是湖南静芯研发的1路双向深回扫型静电保护器件，拥有超低电容和超
低钳位电压的优异性能，适用于射频信号、天线、功率放大器、手持式便携设备的信号防护，可防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁，保护后端芯片免受静电或浪涌损坏。
湖南静芯ESD器件工作电压涵盖1.0~72V，电流涵盖4~30A，电容最低至0.08pF，封装涵盖CSP、FC及各类封装形式。同时推出22V&33V TDS平缓浪涌抑制器，可用于保护工作电压为20V、24V、28V、36V的系统，具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能及稳定的温度特性，可为系统提供更全面保护。结合TDS器件与深回扫ESD优势，湖南静芯是国内首家推出USB4.0完整解决方案的公司，详情可以参考：“湖南静芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防护完整解决方案100W+80G/120G”与“湖南静芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防护完整解决方案140W&180W+80G/120G”等文章。
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