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【新品发布】湖南静芯推出应用于PoE系统的MOSFET ESP10N10BK

湖南静芯推出耐压 (Vds) 为100V的N沟道增强型MOSFET ESP10N10BK，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域，完美匹配主流PoE功率级别。该器件在SOP8封装内集成 ESD 器件，使MOS 管在无外置ESD器件保护的情况下，在GS端拥有 IEC ±8kV，HBM ±8kV 的静电防护能力，是PoE系统性能、可靠性、成本和尺寸的最佳选择。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出可用于高速接口的7V低容静电保护器件SELC2F7V1U/ SELC2F7V1B

湖南静芯推出全新低容静电保护器件 SELC2F7V1U/SELC2F7V1B，采用DFN1006-2L小型封装，可应用于USB3.1、HDMI2.0、DisplayPort及V-by-One等高速数据传输接口。该款产品支持pin-to-pin 替代 SESD Series，能有效防护静电冲击，为高速数据传输线路提供可靠保护。

2026

04-13

【新品发布】针对1.8V/3.3V、3.3V/5V的双向电平转换应用优化阈值电压的NMOS

本文将从电路的基本工作原理入手，解析信号在高低压域之间的传输机制，并探讨MOS管的选型要点和匹配型号，希望能够为设计者在实际项目中提供清晰的指引。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出15V低容静电保护器件SELC2F15V1U/SELC2F15V1B

湖南静芯推出全新低容静电保护器件 SELC2F15V1U/SELC2F15V1B，采用DFN1006-2L小型封装，专为 15V信号线而设计，可应用于多种音视频设备、便携设备和通信系统。该款产品支持pin-to-pin 替代 ESD63091CN 、SGM15UB1E2等器件，能有效防护静电冲击，为高速数据传输线路提供可靠保护。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出用于CAN芯片的车规级防护器件ASENC23T27V2BC、ASENC3D27V1BC、ASENC2F27V1BC

湖南静芯推出用于CAN芯片的车规级防护器件ASENC23T27V2BC、ASENC3D27V1BC、ASENC2F27V1BC。和业内竞品相比，通流能力显著提升，钳位电压显著下降，性价比极高，能为 CAN BUS 芯片提供更好的静电和浪涌防护，可直接替代多款安世型号。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出用于射频天线防护的深回扫型静电保护器件SEUCS2X18V1B

湖南静芯推出全新产品SEUCS2X18V1B。SEUCS2X18V1B是一款保护射频天线的1路双向超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁，可适用于射频信号、天线、功率放大器、手持式便携设备的信号防护。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出用于USB 4.0高速数据线的静电保护器件SEUCS2X3V1BLC

湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS2X3V1BLC 。SEUCS2X3V1BLC是一款保护高速数据接口的超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件，使之免受ESD(静电放电)引起的过压而损坏，可适用于USB 3.X/4.0和HDMI 2.0/2.1等高速数据接口的差分信号线防护。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS2X3V1BLC可用于提供高达±24kV(接触放电)的ESD保护，可承受高达9A(8/20us)的峰值脉冲电流，TLP曲线中电流为16A时钳位电压可低于6.0V。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出0.17pF可用于CC/SBU线的深回扫型静电保护器件SEUCS2X30V1BLC

湖南静芯宣布推出全新产品SEUCS2X30V1BLC。SEUCS2X30V1BLC是一款工作电压为30V的超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件，使之免受ESD(静电放电)引起的过压而损坏。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS2X30V1BLC可用于提供高达±20kV(接触放电) 和±20kV(空气放电)的ESD保护，可承受高达8A(8/20us)的峰值脉冲电流,在16A(10/1000us)的条件下钳位电压可低于7.5V。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出用于射频天线防护的深回扫型静电保护器件SEUCS2X18V1BA

湖南静芯推出全新产品SEUCS2X18V1BA。SEUCS2X18V1BA是一款保护射频天线的1路双向超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于防护天线在信号传输过程中可能遇到的静电威胁，可适用于射频信号、天线、功率放大器、手持式便携设备的信号防护。

2026

04-13

【新品发布】湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ESP10N10K

湖南静芯推出耐压 (Vds) 为100V的N沟道增强型MOSFET ESP10N10K，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域，POE系统，完美匹配主流PoE功率级别。该器件在SOP8封装内集成 ESD 器件，拥有 IEC ±10kV，HBM ±15kV 的静电防护能力，是PoE（以太网供电）系统性能、可靠性、成本和尺寸的最佳选择。

2026

04-13

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